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一种非易失性存储器的制造方法。首先提供已形成有多个隔离结构的基底，这些隔离结构突出于基底表面，且隔离结构之间的基底上已形成有第一掩模层。接着在基底上形成第二掩模层。之后，图案化第二掩模层与第一掩模层，形成多个开口，开口暴露出部分基底表面与隔...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。

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