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本发明是一种用于在能够被抽空以在其中产生真空的处理容器中，在等离子体存在的情况下在待处理物体上执行蚀刻处理的蚀刻方法，在待处理物体中，在由含硅材料制成的基底层上形成有由含钨材料制成的待蚀刻层，其中含氯气体、含氧气体和含氮气体被用作用于执行蚀...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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