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一种制造互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）器件的方法，其中该方法包括如下步骤：在半导体衬底（１０２）中形成用于容纳第一类型半导体器件（１３０）的第一阱区（１０３）；在半导体衬底（１０２）中形成用于容纳第二类型半导体器件（１４０）的第二阱区（１...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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