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公开了一种场效应器件的制备方法，包括以下步骤：提供晶体半导体材料的第一层，其中所述第一层设置在绝缘体层上；制备壁和第二层的形成体，其中所述第二层设置在所述第一层上，所述壁设置在所述第二层上，其中所述壁具有内部和外部；以及将所述形成体转移到所...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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