温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种用于在处理系统中利用低压沉积工艺在衬底上沉积含硅膜的方法。含硅膜可以通过在处理系统的处理室中提供衬底，加热衬底，并将衬底暴露于六氯乙硅烷（ＨＣＤ）处理气体来在衬底上形成。该方法可以在衬底的硅表面上选择性地沉积外延含硅膜，或者...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。