温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种具有凹陷栅极的半导体器件，包括：具有凹陷的半导体衬底；用于栅极电极的导电图案，填充该凹陷并且具有突出高于该半导体衬底表面的延伸部分；外延半导体层，具有布置于该半导体衬底之上的上表面；以及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层配置于该外延半导体层与该...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。