温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供半导体器件（１０２）和漏极延伸型ＰＭＯＳ晶体管（ＣＴ１ａ）以及其制作方法，其中在ｎ埋入层（１０８）与晶体管背栅极（１２６）之间形成ｐ型隔离区（１３０），以在不增加外延厚度的情况下增大击穿电压性能。...
该专利属于德州仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德州仪器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。