温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种形成集成电路的方法，包括：在半导体衬底表面上限定多个突出部分，该突出部分具有最小高度；在该衬底表面上方提供图案层；从预定衬底部分移除部分该图案层；执行离子注入程序，使该离子相对于所述衬底表面的角度小于９０度，其中该离子是由该图...
该专利属于奇梦达股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过奇梦达股份公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。