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本发明公开一种半导体器件及其制造方法，包括：形成用于形成鳍式有源区的沟槽，所述沟槽具有波浪形，以便不会使栅极与有源区连接，从而提高所述栅极中流动的电流速度，并且减少存储电极中的漏电流。另外，所述有源区沿纵向扩展，以确保足够的存储节点接触面积...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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