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公开了一种组份渐变的介质薄膜的形成方法，包括步骤：将晶片移入反应室内；通入第一反应气体和第二反应气体，形成第一介质层；加入第三反应气体；调整所述第二和第三反应气体的流量，形成组份渐变的过渡介质层；停止通入所述第一、第二和第三反应气体；将所述...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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