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本发明涉及材料在基片上的超临界流体辅助沉积，所述基片例如用于制造集成电路装置的半导体基片。采用超临界流体基组合物而实现上述沉积，所述组合物含有待沉积于基片表面上的材料的前体。该方法允许使用对气相沉积方法因缺乏必需的挥发性和传送性而完全不适用...
该专利属于高级技术材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过高级技术材料公司授权不得商用。

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