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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成器件隔离层；在该半导体衬底上形成栅极绝缘层和栅极；在由上述两个步骤形成的结构上沉积一种三层结构，该三层结构包括下氧化层、氮化层和上氧化层；和蚀刻...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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