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本发明公开了一种基于组份渐变ＧａＮ　　ＭＩＳＦＥＴ的ＧａＮ器件及制备方法。该器件包括底层（１）、缓冲层（２）、本征ＧａＮ材料层（３）、ＡｌＮ隔离层（４）及源（７）、漏（８）、栅（９）极接触，其中ＡｌＮ隔离层上依次设有ＡｌＧａＮ组份渐变层（５...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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