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本发明提供一种利用选择外延工艺制备鳍形场效应晶体管的方法，属于半导体集成电路制造技术领域。该方法采用ＳＯＩ晶片为衬底，首先在衬底表面生长一层薄介质层，然后进行光刻和刻蚀薄介质层和ＳＯＩ的半导体膜层形成半导体条，对该半导体条的中间部分进行重掺...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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