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提供一种集成电路及其制造方法。该集成电路（２０）包括主体硅衬底（ｂｕｌｋ　　ｓｉｌｉｃｏｎ　　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）（２４），其具有〈１００〉晶向的第一区域（６４，６６）及〈１１０〉晶向（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　　ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）的第...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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