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本实用新型涉及微波处理技术领域,特别是涉及一种功率合成装置,包括合成部、输出部和至少2个输入部,所述合成部包括合成部本体、带线和第一腔盖,所述带线包括合成端和自合成端向外呈辐射状设置的至少2个输入端,所述输出部包括第二内导体、第二外导体和第...该专利属于成都沃特塞恩电子技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都沃特塞恩电子技术有限公司授权不得商用。
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本实用新型涉及微波处理技术领域,特别是涉及一种功率合成装置,包括合成部、输出部和至少2个输入部,所述合成部包括合成部本体、带线和第一腔盖,所述带线包括合成端和自合成端向外呈辐射状设置的至少2个输入端,所述输出部包括第二内导体、第二外导体和第...