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使用绝缘体上硅（ＳＯＩ）（１０，２０，４０）的集成电路（２００），它的大多数晶体管具有浮置沟道（体）。而一些晶体管的沟道必须连接到预定的偏置电压，以达到所需的操作特性。为了获得需要的偏置电压，ＳＯＩ衬底（１０，２０，４０）的半导体层（４０）...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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