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本实用新型公开了一种功率半导体器件保护装置，涉及功率半导体器件技术领域。本实用新型包括下保护壳和上保护壳，上保护壳位于下保护壳的顶部，下保护壳的一端安装有用于升降上保护壳的升降机构；下保护壳和上保护壳的内部均安装有用于保护功率半导体器件的减...
该专利属于无锡德力芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡德力芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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