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本发明涉及一种低导通电阻功率ＶＤＭＯＳ晶体管的制造方法。该方法是从降低两个ＶＤＭＯＳ元胞之间正对漏端通道的导通电阻入手，在满足ＶＤＭＯＳ管耐压的情况下，在Ｎ↑［＋］硅片上的第一层Ｎ↑［－］外延层中的ＶＤＭＯＳ晶体管栅（即两个ＶＤＭＯＳ元胞之...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十四研究所授权不得商用。

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