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本发明公开了一种减小ＧＩＤＬ效应的方法，在多晶硅栅极刻蚀后，氮化硅层淀积前增加注入剂量为５ｅ１２～１ｅ１３ｃｍ↑［－２］，角度为１５度～４５度，能量为３０ｋｅＶ～６０ｋｅＶ的硼，可使在漏端与多晶硅栅极的重叠处形成一层浓度很高的离子注入层。本...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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