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本发明概括性地涉及一种用于清洁基片的体系。更具体而言，本发明涉及一种使用在稠化二氧化碳基质中的反应性逆胶束或微乳化流体系从半导体基片包括硅晶片上化学去除残余物的方法。可使用在反应性胶束体系中的各种反应性化学试剂使蚀刻剂和金属残余物的清洁和去...
该专利属于巴特尔纪念研究院所有，仅供学习研究参考，未经过巴特尔纪念研究院授权不得商用。

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