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公开了一种双镶嵌结构的形成方法，包括：提供一表面至少具有一导电区域的衬底；在所述衬底上形成一刻蚀停止层；在所述衬底上形成一层间介电层；利用光刻胶对所述层间介电层进行通孔的图形化处理及刻蚀处理，形成通孔；在所述通孔内填充光刻胶牺牲层；进行加热...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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