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本发明涉及一种基板的氮化处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，将含氮等离子体作用于基板表面的硅，从而进行氮化处理，使作为等离子体生成区域的等离子体电位（Ｖ↓［ｐ］）与上述基板的悬浮电位（Ｖ↓［ｆ］）的电位差（Ｖ↓［ｐ］－Ｖ↓［ｆ］）的上述...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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