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本发明涉及一种半导体器件，其包含位于半导体衬底中并且通过其间的隔离区域彼此隔离的第一和第二有源器件区域，同时该半导体器件包括宽度为大约２０ｎｍ到大约４０ｎｍ的第一亚光刻互连结构，用于将第一有源器件区域与第二有源器件区域连接。该半导体器件优选...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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