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一种测量半导体掺杂浓度的方法技术
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文档序号:3177716
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一种测量半导体掺杂浓度的方法,其特征在于:在同一测试系统中集成了光载流子辐射测量技术和自由载流子吸收测量技术,同时获得自由载流子的复合辐射信号与吸收信号;通过改变激发光的调制频率,得到频域的载流子辐射信号和吸收信号;通过改变激发光与探测光之...
该专利属于中国科学院光电技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院光电技术研究所授权不得商用。
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