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本实用新型涉及一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置，装置包括单晶炉、铱金坩埚、热场部件、气氛控制单元，热场部件围绕铱金坩埚设置，由独立加热的上温区和下温区组成。本装置采用上、下双温区独立加热，上温区为高温区具有较小的轴向温度梯度，能够有...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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