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本发明公开了一种改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法，其是将玻璃衬底放在真空室内；采用等离子增强化学气相沉积或者热丝技术在衬底上沉积Ｐ层微晶硅薄膜；采用和沉积Ｐ层微晶硅薄膜相同的沉积方法沉积Ｉ层本征微晶硅薄膜，根据Ｐ层微晶硅薄膜沉积后对的腔...
该专利属于南开大学所有，仅供学习研究参考，未经过南开大学授权不得商用。

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