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通过在形成金属硅化物之前移除用于形成高度复杂的横向掺质分布的外间隔体１０９，得到与习知工艺兼容的高度工艺兼容性，同时可使接触衬垫层（ｃｏｎｔａｃｔ　　ｌｉｎｅｒ　　ｌａｙｅｒ）１１５的位置更加接近沟道区，从而使得有高效率的应力转移机构可用来...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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