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本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法，该半导体存储装置通过抑制蓄积在并非读取对象的电荷蓄积部中的电子（电荷）导致的漏极－源极间电流的降低，在读取对象的电荷蓄积部中，将蓄积有电子（电荷）的状态和没有蓄积电子（电荷）的状态下的漏极－源极电流...
该专利属于冲电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过冲电气工业株式会社授权不得商用。

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