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本发明有关于一种在半导体元件上形成光刻胶图案的工艺。其中集成电路的图案化工艺,包括:提供一基底层;形成一缓冲层于该基底层之上;形成一光刻胶层于该缓冲层之上;诱导一反应于该缓冲层的一区域,使得该区域具有可移除性;以及以一显影剂移除该缓冲层的该...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明有关于一种在半导体元件上形成光刻胶图案的工艺。其中集成电路的图案化工艺,包括:提供一基底层;形成一缓冲层于该基底层之上;形成一光刻胶层于该缓冲层之上;诱导一反应于该缓冲层的一区域,使得该区域具有可移除性;以及以一显影剂移除该缓冲层的该...