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一种改进的非晶化／模板化再结晶（ＡＴＲ）方法，其用来制造低缺陷密度混合取向衬底。用于混合取向衬底制造的ＡＴＲ方法通常从具有第一取向硅层开始，其接合在具有第二取向的第二硅层或衬底上。第一硅层的所选区被非晶化然后通过用第二硅层作为模板再结晶为第...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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