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本发明提供一种具有多个存储单元的半导体集成电路器件，每个所述存储单元具有包括一对驱动ＭＩＳＦＥＴ和一对负载ＭＩＳＦＥＴ的一对反相器和一对传输ＭＩＳＦＥＴ，所述一对驱动ＭＩＳＦＥＴ的栅极和漏极分别彼此交叉连接，所述半导体集成电路器件包括：在所...
该专利属于株式会社日立制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所授权不得商用。

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