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一种制作金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：　　　　提供半导体基底，且该半导体基底上具有栅极结构；　　　　于该栅极结构相对二侧的该半导体基底中形成浅结源极延伸以及浅结漏极延伸；　　　　于该栅极结构的相对二侧壁形成衬垫层与第一间隙壁；　　　　...
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