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本发明提供一种提升耐压工艺窗口的超结器件，包括：半导体衬底；沉积于半导体衬底上的外延层，外延层包括第一半导体层及层叠于其上的第二半导体层，且第一半导体层的禁带宽度大于第二半导体层的禁带宽度；形成于外延层中的超结结构，超结结构包括至少一个第一...
该专利属于杭州芯迈半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州芯迈半导体技术有限公司授权不得商用。

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