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本发明公开一种半导体器件制造方法，其特征在于包括：第一步骤，其利用接合线在电极片上形成凸点，所述电极片形成在基板的与半导体芯片相对应的区域中；第二步骤，其在堆叠于所述基板上的叠层用基板中形成导通孔，并且用导电膏填入所述导通孔，在所述叠层用基...
该专利属于新光电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新光电气工业株式会社授权不得商用。

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