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本发明提供一种基于氮化物的３－５族化合物半导体发光器件，其包含：第一ＧａＮ型层；所述第一ＧａＮ型上的有源层；和所述有源层上的第二ＧａＮ型层，其中所述第一ＧａＮ型层或所述第二ＧａＮ型层包含至少一个Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ／Ｉｎ↓［ｙ］Ｇ...
该专利属于LG伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过LG伊诺特有限公司授权不得商用。

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