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一种金属氧化物半导体器件栅极的制造方法，包括：在一半导体基底上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成覆盖层；对所述多晶硅层进行掺杂并退火；在所述覆盖层上旋涂光刻胶层，并图形化形成栅极图案；刻蚀所述未被栅极图案覆盖的覆盖层和多晶硅层。本发明方法在...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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