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一种存储器件，其包括掺杂有第一导电杂质的区域；掺杂有第二导电杂质并形成在所述掺杂有第一导电杂质的区域上的第一多晶硅层；形成在所述第一多晶硅层上并掺杂有第一导电杂质的第二多晶硅层；形成在所述第一多晶硅层横向侧的电荷捕获层；和形成在所述电荷捕获...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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