温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法以及接触刻蚀停止层，该器件包括衬底、在所述衬底上形成的至少一个栅极和源／漏区，以及由多层结构组成的接触刻蚀停止层，该接触刻蚀停止层包括在所述衬底和所述栅极、源／漏区上形成的第一接触刻蚀停止层；在所述第一...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。