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提供了一种具有在Ｎ型器件和Ｐ型器件之间的阻挡物区域的栅极导体结构，其中所述阻挡物区域使穿过所述阻挡物区域的掺杂物的交叉扩散为最小或者消除穿过所述阻挡物区域的掺杂物种类的交叉扩散。所述阻挡物区域包括栅极导体结构中的至少一个亚光刻间隙。通过使用...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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