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根据本发明的一种氮化物半导体发光二极管，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的Ｉｎ－掺杂的ＧａＮ层；形成在所述Ｉｎ－掺杂的ＧａＮ层上的第一电极层；形成在所述第一电极层上的Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ层；形成在所述Ｉｎ↓...
该专利属于LG伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过LG伊诺特有限公司授权不得商用。

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