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本发明提供了一种制造高压ＣＭＯＳ器件的方法，在形成高压深阱区域时不需要用于形成光学对准标记的单独掩膜。该方法包括形成暴露半导体衬底预定区域的相对厚的第一氧化物膜图案；在暴露衬底上形成第二氧化物膜图案；以及通过利用第一氧化物膜图案作为掩膜进行...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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