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实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料制造技术
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文档序号:3174563
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本发明涉及化合物半导体材料技术领域,公开了一种实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料,该实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料由在GaAs衬底上依次外延生长GaAs缓冲层、Al↓[0.22]Ga↓[0.78]As下势垒层、In↓[0.2]G...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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