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本发明涉及化合物半导体材料技术领域，公开了一种高速砷化镓基复合沟道ＭＨＥＭＴ材料，该ＭＨＥＭＴ材料由在ＧａＡｓ衬底上依次外延生长的晶格应变层Ｉｎ↓［ｘ］Ａｌ↓［１－ｘ］Ａｓ、沟道下势垒层Ｉｎ↓［０．５２］Ａｌ↓［０．４８］Ａｓ、沟道层掺杂Ｉ...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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