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本发明属微电子技术领域，具体是一种消除Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ电阻存储器形成电压的方法。生长完Ｃｕ↓［ｘ］Ｏ存储介质后，在Ｎ↓［２］、Ａｒ、ｆｏｒｍｉｎｇ　　ｇａｓ或真空等缺氧气氛中进行退火，表层ＣｕＯ会由于缺氧而被还原成Ｃｕ↓［２］Ｏ，从而消除存储...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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