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本发明涉及邻近衬底上的结构形成接触的方法以及相关的半导体器件。公开了接触形成方法以及相关的半导体器件。一种方法包括在所述结构和所述衬底之上形成第一衬里，所述第一衬里覆盖所述结构的侧壁；在所述第一衬里和所述结构之上形成介质层；在所述介质层中形...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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