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本发明公开了一种使得低温度化学气相沉积的氢化非晶硅变得更稳定的处理方法。将沉积好的氢化非晶硅薄膜或其器件置于不小于５０个大气压的高压氢气环境中，在１００－２００℃范围内，维持１－３小时，同时可以选择性的向非晶硅薄膜器件施加直流偏压。经过这种...
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