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一种低温多晶硅薄膜制作方法，其包括以下步骤：提供一基板，并在该基板上形成一缓冲层；在该缓冲层上沉积一第一非晶硅薄膜；通过一微影／刻蚀工艺，刻蚀该第一非晶硅薄膜，在该缓冲层上保留多个分散的非晶硅颗粒；在该缓冲层上沉积一覆盖该非晶硅颗粒的第二非...该专利属于群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司授权不得商用。