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本发明公开一种基于ＳＯＩ圆片的三维集成电路的实现方法。所述方法包括：刻蚀去除制造好集成电路的绝缘体上硅（ＳＯＩ）圆片对应垂直互连的ＳＯＩ器件层；利用有机聚合物将ＳＯＩ圆片与辅助圆片临时键合，去除ＳＯＩ圆片衬底将ＳＯＩ层向辅助圆片转移；利用有...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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