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本发明的目的在于，提供一种构成电容器的电介质膜的铁电体或者高介电常数电介体的结晶度良好，而且电容器的交换电量高、可低电压动作的高可靠性的半导体器件以及其制造方法。在半导体衬底１１０上形成晶体管Ｔ１、Ｔ２之后，形成阻止层１２０以及层间绝缘膜１...
该专利属于富士通半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过富士通半导体股份有限公司授权不得商用。

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